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연구소 개요
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할로겐 조명
LED 조명
반도체용 단 결정
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2010년도 중소기업 기술혁신 개발사업 “High Power LED 조명용 친 환경 고 방열 Circuit Board 개발”을 시작으로 반도체 조명 및 전력 소자용 단 결정 기판 기술 개발을 시작 하였습니다.
 
 
GaN 기판 세계시장은 2011년 이후 매년 평균 30% 정도의 고속성장이 예상되고, 2019년에 25억$ 규모의 큰 시장을 형성할 것으로 예측
특히 UHB급 LED와 Power Electronics용 반도체는 현재 시장 진입단계로 GaN 기판 시장은 2019년까지 연간 40 % 이상의 급격한 성장 예상
 
LED 및 반도체 산업에서 사용되는 기판은 사파이어, 규소(Si) 기판이 주로 사용되어져 왔습니다. 최근에 들어서 질화물계 기판 소재가 개발 되었고, 탄화규소(SiC), 갈륨나이트라이드(GaN) 등의 소재가 적용되었을 때 현재 사용중인 기판에 비하여 열 안정성, 동작 주파수 전력 변환 효율 등의 부분에서 월등한 성능을 나타내고 있습니다.
(주) 새한텅스텐은 반도체 조명 시장에 진출하기 위하여, 중소기업 기술혁신 개발사업을 통해 세라믹 복합 구조의 LED 조명용 고 방열 기판 개발을 시작으로 반도체 기판 사업부분에 진출 하였습니다. 2010년부터 진행된 한양대학교와 공동 연구개발을 통하여 HVPE 방식으로 단 결정을 성장시켜 2인치 갈륨나이트라이드(GaN) 기판(Substrate)를 개발하였습니다. 그 밖에도 특수 LED용 AlN 단 결정 성장 기술 및 레이저용 Nd:YAG 단 결정 기술 개발을 위해 연구개발력을 집중하고 있습니다.
 
 
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